Kutistuvia muistitekniikoita

Moscow Institute of Physics and Technologyn (MIPT) tutkijat yhteistyökumppaneineen ovat onnistuneet magnetosähköisen satunnaismuistin (MELRAM) demonstraatiossa.

Magnetosähköinen muisti voi mahdollistaa merkittävät energiansäästöt sekä laitteiden välittömän käynnistymisen eli ne kykenevät ylläpitämään tilansa ilman virkistystä.

Demonstraatiossa tutkijat esittelivät muistisolun, joka vähentää bittien luennan ja kirjoittamisen energiankulutusta 10 000 -kertaisesti tai jopa enemmän.

MELRAM kostuu magnetoelastisen ja piestosähköisen materiaalien kerroksista. Pietsomateriaalilla muokataan magnetoelastisen materiaalin magneettisuutta kahteen eri suuntaan.

"Rakensimme testikappaleen noin yhden millimetrin kokoon ja osoitimme, että se toimii", sanoo MIPT:n tohtoriopiskelija Anton Churbanov. "On syytä huomata, että käyttämämme rakenteet voisivat toimia nanokokoisten muistisolujen perustana, joiden mitat ovat samat kuin RAM-soluilla."

Tällä kertaa tutkimus suuntautui erityisesti datan luentamekanismiin, joka tarjoaa vaihtoehdon aiemmissa MELRAM-soluissa käytetyille magneettikentän antureille, jotka eivät mahdollista helppoa skaalausta.

Sattumalta, itse magnetosähköinen vuorovaikutus sisältää koodatun informaation lukemisen mahdollisuuden. Teknisesti siinä hyödynnetään luetun muistisolun arvon uudelleen tekoa.

Manchesterin yliopiston tutkijat ovat puolestaan osoittaneet, että datan tallentaminen molekyyleihin, jotka tunnetaan yksimolekyylisinä magneetteina, on aikaisempaa helpommin toteutettavissa.

Tutkimukset osoittavat, että magneettinen hystereesi, muistiefekti, joka on edellytys kaikelle datan varastoinnille, on mahdollista yksittäisissä molekyyleissä -213 °C lämpötilassa. Tämä on varsin lähellä nestemäisen typen lämpötilaa (-196 °C), joka olisi teknisesti paljon halvempi jäähdytysratkaisu ja esimerkiksi suurissa datakeskuksissa toteutettavissa.

Aiheesta aiemmin:

Spintronisia kytkentöjä muistitekniikoille