Kaksiulotteisten materiaalien hienosäätöä

08.03.2018

Tohoku-jakaa-kide-2D-metalli-johteeksi-300.jpgTieteilijät ovat tutkineet miten 2D-elektronikaasua voidaan käyttää muun muassa suprajohteissa, toimilaitteissa ja elektronisissa muistipiireissä.

Japanilaisen Tohoku yliopiston tutkijat, yhdessä kansainvälisten kollegoiden kanssa, tunnistivat hiljattain perovskiittityyppisen materiaaliryhmän atomirakenteen, joka osoitti mielenkiintoisia kaksiulotteisia johtavia ominaisuuksia.

Tutkitut materiaalit koostuivat strontium-, niobium- ja happiatomeista. Tutkimuslaitteidensa tulokset yhdistettynä teoreettisiin laskelmiin osoittivat, miten happiatomien lisääminen strontium-niobaatteihin vaikuttavat niiden johtavuuteen.

Happiatomien pitoisuudesta riippuen muodostui neljä eri materiaalia. Niistä kolme oli sähkönjohteita ja neljäs eriste. Atomien mittakaavassa materiaali muodostui vuorottelevista ketjun kaltaisista ja siksak-tasoista.

Riippuen happiatomien pitoisuudesta, ketjun kaltaiset levyt olivat materiaalin sisällä kaksi, kolme tai neljä kerrosta paksuja. Siksak-tasot olivat eristäviä kerroksia kaikissa materiaaleissa, kun taas ketjumaiset tasot olivat johtavia kolmessa neljästä materiaalista.

Kaksiulotteiset johtavat kerrokset muodostetaan tavallisesti luomalla rajapinta kahden eristeen välille. Nyt on mahdollista saavuttaa sama tavoite segmentoimalla 3D-johtavat materiaalit pinnoiksi 2D johtavien kerrosten erottamilla eristekerroksilla, tutkijat kertovat ACS Nano -lehdessä julkaistussa tutkimuksessaan.

Ympäri maailmaa etsitään myös keinoja parantaa kaksiulotteisten materiaalien suorituskykyä tulevissa elektroniikka-, fotoniikka- ja muistipiirisovelluksissa.

Tutkijat tekevät 2D-materiaaleja kuorintamenetelmällä tai kondensoimalla kaasun esiaste substraatille mutta menetelmä ei ole realistinen piirivalmistuksessa. Teollisissa sovelluksissa vakiintunut menetelmä tuottaa heikomman suorituskyvyn 2D-kalvoja.

Penn State Universityn johtamat tutkijat osoittivat, miksi kemiallisen höyrysaostusmenetelmän avulla kasvatettujen 2D-materiaalien laatu on heikko verrattuna niiden teoreettisiin ennusteisiin.

Osoittautui, että käytetty safiirialusta sotkee elektronejaan kalvoon ja siten rajoittaa sekä fotoluminesenssin intensiteettiä että kantajien käyttöikää, kaksi tärkeää ominaisuutta optoelektronisissa sovelluksissa.

Sitten toinen tutkimusryhmä kehitti tähän löytöön sopivan seostustekniikan. Käyttäen hapella käsiteltyä substraattipintaa ryhmä poisti alustan vaikutuksen ja seosti molybdeenidisulfidin 2D-kalvoa reniumatomeilla.

Tällä substraatilla seostus saattoi nousta jopa 1 atomiprosenttiin, mikä on korkein koskaan raportoitu dopingkonsentraatio. Odottamaton lisähyöty oli, että seostus passivoi rikkivakansseja, jotka ovat olleet pitkäaikainen ongelma 2D-materiaaleissa.

Aiheesta aiemmin:

Elektronien poukkoilua kaksiulotteisissa

2D-materiaalia tulevaisuuden elektroniikalle
19.09.2019Valokiteiden valmistus ja hallinta
18.09.2019Kaksi vapausastetta
17.09.2019Epätavallista magneettista käyttäytymistä
16.09.2019Nanolangat korvaavat lasiprismat
13.09.2019Tehokkaampaa sähköpolttoaineiden tuotantoa
12.09.2019Ensimmäinen monimutkainen kvanttiteleportaatio
11.09.2019Energian talteenottoa piipiiriltä
10.09.2019Uudenlainen pinnoite litium-metalli akuille
09.09.2019Uusi eristetekniikka pienemmille siruille
06.09.2019Hiilinanoputkia ja grafeenia

Siirry arkistoon »