Ledeistä enemmän irti sopivasti virittämällä

National Taiwan Universityn tutkijat ovat osoittaneet, että jopa muuttamatta perovskiitin emissiivistä kerrosta, polykaprolaktoni-hopea-nanohiukkasten sisällyttäminen emissiovahvistuskerrokseen voi merkittävästi parantaa perovskiittivalodiodien (PeLED) luminanssia ja ulkoista kvanttitehokkuutta (EQE).

Tämä innovatiivinen lähestymistapa hyödyntää Försterin resonanssienergian siirtoa (FRET) ja Purcell-ilmiötä, mikä tasoittaa tietä tehokkaille PeLED-rakenteille ja laseroptiikan sovelluksille.

PeLEDit ovat saaneet viime aikoina merkittävää huomiota erinomaisten optoelektronisten ominaisuuksiensa vuoksi. Perinteiset menetelmät PeLED-tehokkuuden parantamiseksi edellyttävät kuitenkin tyypillisesti kemiallisia modifikaatioita perovskiitin emissiiviseen kerrokseen, kuten dopingia tai rakenteellista viritystä. Nämä lähestymistavat vaarantavat usein tuotannon vakauden ja lisäävät tuotantokustannuksia.

Tutkimus osoittaa, että jopa ilman perovskiitin emissiivisen kerroksen muokkaamista PCL@AgNPs-P emissiovahvistuskerroksen lisääminen voi parantaa merkittävästi PeLED-tehokkuutta. Tämä innovatiivinen lähestymistapa ei ainoastaan ​​yksinkertaista valmistusprosessia, vaan myös säilyttää perovskiitin emissiivisen kerroksen puhtauden ja vakauden, mikä tarjoaa erinomaista käytännön arvoa.

Viime vuosikymmeninä on kehitelty vaihtoehtoisia ledejä, jotka tunnetaan nimellä kvantti-ledit (QLED). Ne hyödyntävät kvanttipisteitä valoa emissoivina komponentteina tavanomaisten puolijohteiden sijaan.

Perinteisiin ledeihin verrattuna kvanttipistepohjaiset piirit voisivat saavuttaa paremman energiatehokkuuden ja toimintavakauden. Kuitenkin niiden vastenopeutta rajoittaa tyypillisesti hidas varauksen injektio ja kuljetus orgaanisten aukkojen siirtokerrosten läpi.

Zhejiangin ja Cambridgen yliopiston sekä yhteistyöinstituuttien tutkijat osoittivat äskettäin, että QLED:illä on viritys-muistivaikutus, mikä voisi auttaa parantamaan niiden vastenopeuksia.

Tutkimustyö osoitti, että kvanttipistevalodiodien transienttisiin elektroluminesenssivasteisiin vaikuttaa niiden virityshistoria pulssioperaatioissa. Joten tutkijat kehittivät pienikapasitanssisen mikrokvanttipistevalodiodin, joka hyödyntää viritysmuistin aiheuttamaa nopean vasteen kanavaa.

Rakenteessa, jonka -3 dB:n kaistanleveys on jopa 19 MHz, sen elektroluminesenssin modulaatiotaajuus on jopa 100 MHz ja tiedonsiirtonopeus jopa 120 Mbps alle pikojoulen energiankulutuksella.

Aiheesta aiemmin:

Parempi kyberturvallisuus uudella materiaalilla

Ledejä maskittomaan fotolitografian ja eloisiin näyttöihin

Kvanttipisteisiä ledejä ilman myrkkyjä