2D-materiaalit mutkalle ja avaruuteen

22.04.2025

Ningbo-vdW-mutkalle-300-t.jpgKiinan tiedeakatemian Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering (NIMTE) -tutkimusryhmä on ehdottanut uutta strategiaa, jonka avulla voidaan tarkasti manipuloida kerrosten välisiä pinoamisjärjestyksiä ja niihin liittyviä ominaisuuksia kaksiulotteisissa (2D) van der Waalsin kerroksellisissa materiaaleissa mekaanisen taivutuksen avulla, mikä mahdollistaa tehokkaan sähköisen polarisaatiokytkennän.

2D-materiaalien pinoamisjärjestystä muuttamalla voidaan saavuttaa erilaisia ​​faaseja, mikä vapauttaa poikkeukselliset sähköiset, optiset ja magneettiset ominaisuudet.

Työssään koneoppimisen mahdollisuuksia käyttämällä tutkijat ehdottavat mekaanista taivutusmenetelmää pinoamisjärjestyksen ja niihin liittyvien ominaisuuksien manipuloimiseksi liukuvassa ferrosähköisessä h-BN, 3R-MoS2 ja ei-ferrosähköisessä kaksikerroksisessa grafeenissa.

Tämä työ ehdottaa jännittävää mekaanista taivutustapaa pinoamisjärjestyksen ja siihen liittyvien optisten, topologisten, ferrosähköisten ja magneettisten ominaisuuksien dynaamiseen manipuloimiseen van der Waalsin kerroksellisissa materiaaleissa.

Tsinghuan yliopiston tutkijat ovat osoittaneet puolestaan, että kaksiulotteiset (2D) puolijohdemateriaalit kestävät avaruuden ankarat olosuhteet.

Ningbo-vdW-mutkalle-Tsinghuan-250-t.jpgProfessori Ruitao Lv:n johtama materiaalitieteen ja tekniikan korkeakoulun tiimi lähetti 2D-materiaaleja ja kenttävaikutustransistoreita (FET) kiertoradalle Kiinan uudelleenkäytettävällä Shijian-19 satelliitilla.

14 päivän avaruudessa olon jälkeen materiaalit palasivat Maahan ja osoittivat huomattavaa vakautta huolimatta altistumisesta säteilylle, mikrogravitaatiolle ja korkeille/matalille lämpötiloille.

Kokeessa keskityttiin 2D-siirtymämetallidikalkogenideihin (TMDC), erityisesti WSe2:een ja Nb-seostettuun WSe2:een, jotka syntetisoitiin käyttämällä kemiallista höyrypinnoitusta (CVD). Näitä materiaaleja käytettiin FET:ien valmistukseen, joiden optinen ja sähköinen suorituskyky testattiin ennen ja jälkeen avaruuslennon.

Tulokset olivat vaikuttavia: materiaalit säilyttivät rakenteellisen eheytensä ja FETllä oli vakaat kytkentäominaisuudet päälle/pois virtasuhteilla välillä 106 - 107.

Yksi yllättävimmistä löydöistä oli, että avaruuskapselin sisällä säilytetyt 2D-materiaalit osoittivat korkeampaa fotoluminesenssin (PL) intensiteettiä verrattuna maapallolle varastoituihin materiaaleihin, mikä viittaa siihen, että avaruusympäristöllä saattaa olla "säilyttämisvaikutus" näihin materiaaleihin.

Tämä löytö avaa uusia mahdollisuuksia 2D-puolijohteiden käyttöön kehittyneissä avaruusteknologioissa, kuten säteilynkestävässä elektroniikassa ja erittäin herkissä optisissa antureissa.

Aiheista aiemmin:

Kiertymä muokkaa kaistaeroa

Kaksiulotteisia fettejä piikiekolle

14.11.2025Ionista prosessointia biologisilla nanohuokosilla
14.11.2025Kilparataista muisti- ja logiikka-arkkitehtuuria
14.11.2025Aitoa ferrielektristä materiaalia löydetty
13.11.2025Metallisia nanoputkia
13.11.2025Ennätys: 50-kubittinen kvanttitietokone simuloituna supertietokoneella
13.11.2025Valo voi muokata atominohuita puolijohteita
13.11.2025Elävää metallia biologian ja elektroniikan välille
12.11.2025Verenkierrossa kulkevaa elektroniikkaa
12.11.2025Perovskiittisille aurinkokennoille pitkäaikainen vakaus
12.11.2025Uusi joustava valoa emittoiva materiaali

Siirry arkistoon »