On muisto vain

01.08.2016

ASTAR-spin-muisti-parannus-275-t.jpgKun kesälomasta on vain muisto jäljellä, tutkijat ovat kuitenkin kehittäneet muistien tekniikkaa.

Singaporelaisen A-STAR-tutkimuslaitoksen tutkijat osoittavat, miten spintronisten muistien suorituskykyä voidaan optimoida sen rakennetta virittämällä.

STT-MRAM-muisti koostuu pinosta ohuita magneettisia kerroksia. Yksi kerroksista muuntaa läpi kulkevan virran elektronien spinit saman suuntaan ja tämä spinpolarisoitu virta voi sitten muuttaa toisen kerroksen magneettisia ominaisuuksia.

- Kun magneetilla on korkea magneettinen anisotropia, se on vakaa ja muisti pystyy säilyttämään informaatiota. Kuitenkin, se tarkoittaa myös, että sen on vaikeampi siirtyä vastakkaiseen suuntaan, koska siinä esiintyy vaimennusvaikutus, kertoo Sze Ter Lim A*STAR Data Storage Institutesta

Aikaisemmat yritykset lisätä anisotropiaa ovat johtaneet myös vaimennuksen suhteelliseen kasvuun. Nyt Lim ja hänen työtoverinsa kehittivät STT-MRAM arkkitehtuurin, jossa anisotropiaa voidaan lisätä vaimennusta kasvamatta.

Sen sijaan, että muuttamalla varsinaisten magneettisten kerrosten paksuutta, kuten aiemmissa tutkimuksissa on tehty, nyt muutettiin uloimman apukerroksen vaikutusta ja huomattiin, että muutoksen vaikutus vaimennukseen on minimaalinen.

National University of Singaporeen (NUS) tutkijoiden johdolla on puolestaan onnistuttu istuttamaan hyvän suorituskyvyn magneettinen muistisiru taipuisalle pinnalle suorituskyvystä tinkimättä.

Sellaista on jo taipuisan elektroniikan tarpeisiin kaivattukin. Vaikka aiheen parissa on tehty merkittävä määrä tutkimusta erityyppisillä muistisiruilla ja materiaaleilla, se on edelleen erittäin haastavaa valmistaa korkean suorituskyvyn muistipiirejä pehmeille alustoille.

Uudenlainen rakenne toimii magnetoresistiivisenä työmuistina (MRAM), joka perustuu joustavaan magnesiumoksidiin (MgO) perustuvaa magneettista tunneliliitosta (MTJ) bittien tallennukseen.

Tutkimusryhmä kasvatti ensin MgO-pohjainen MTJ:n piille ja sitten syövyttivät piin pois. Sitten magneettinen muistisiru siirrettiin muovikalvolle.

Aiheesta aiemmin:

Uusia rakenteita MRAM-muisteille

23.01.2020Kiertymä muokkaa kaistaeroa
22.01.2020Yleismuistin virstanpylväs
21.01.2020Ensimmäinen antiferromagneettinen topologinen kvanttimateriaali
20.01.2020Nanoantenneja tiedonsiirtoon
17.01.2020Muisteja erittäin kylmään laskentaan
16.01.2020Laskentaa molekyyleillä
16.01.2020Konenäölle nyt myös konesilmät
14.01.2020Piin kvanttibiteillä uusiin ulottuvuuksiin
13.01.2020Uusi menetelmä kestäville GaN-transistoreille
10.01.2020Hiukkaskiihdytin mikropiirille

Siirry arkistoon »