Vaimennus antaa nopeamman kytkennän

21.04.2017

ASTAR-sahkokentta-avusteinen-magneettinen-muisti-300-t.jpgRAM-muisti on ratkaiseva tekijä useimmissa tietokoneissa, niiden tallentaessa informaatiota, jota tarvitaan prosessien loppuun saattamisessa. Tämä informaatio voidaan kirjoittaa ja hakea RAM-muistista paljon nopeammin kuin muista datan tallennusvälineistä, mikä tarkoittaa, että laskennalliset prosessit voidaan suorittaa nopeammin.

Useimmat RAM-muistit tallentavat bittejä sähköisesti. Kuitenkin informaation tallennusta magneettisesti voisi mahdollistaa nopeamman toiminnan. Lisäksi magneettinen hajasaantimuisti (MRAM) on haihtumaton.

MRAM tallentaa dataa magnetoinnin suuntaan ferromagneettisella kalvolla. Magnetoinnin suunnan ja siten binaarisen tilan vaihto voidaan saavuttaa käyttämällä magneettikenttää, mutta tämä vaatii nykyään paljon tehoa.

A*STAR Data Storage Instituten tutkijat ovat mikromagneettisien simulaatioiden avulla tutkineet sähkökenttäavusteista magnetoinnin kytkentää magneettisissa RAM-muisteissa.

He tunnistivat ihanteellisia materiaaliominaisuuksia, joita tarvitaan minimoimaan vaihtoaikaa. Luotettava magneettinen kytkentä voi tapahtua viidessä nanosekunnissa sähkökentän avustamalla kytkennällä ja ilman mitään muuta ulkoista käyttövoimaa.

Sähkökentällä avustettu kytkentä toimii, koska kohdistettu sähkövirta muuttaa ferromagneettisen materiaalin magneettisia ominaisuuksia, joten se on alttiimpi magnetoinnin muutokselle. Pieni magneettikenttä, joka liittyy virtaan ja tunnetaan Oersted-kenttänä, on sitten riittävä vaihtamaan magnetointia.

Simulaatiot osoittivat, että materiaalin ominaisuus, joka tunnetaan magneettisena vaimennuksena, on tärkeä optimoitaessa kytkentäaikaa. Vaimennus on heikennys magneettikentän voimakkuudessa kun kenttä tunkeutuu syvemmälle materiaaliin.

Tutkijat osoittavat, että kytkentäaika pienenee kun kasvatetaan vaimennusvakiota ja Oersted-kentän vahvuutta. Kun valitaan ferromagneettinen materiaali, jolla on paras vaimennusvakio, sähkökenttäavusteisen magneettisen hajasaantimuistin kytkentäaika voi olla jopa kolme nanosekuntia.

Aiheesta aiemmin:

On muisto vain

08.12.2022Pietsosähköä halliten ja tehostaen
07.12.2022Neljä ulottuvuutta kvanttiviestintään
06.12.2022Akkuelektrodeita kehittäen
05.12.2022Uusi konsepti aurinkokennoille
02.12.2022Monitoimiset metapintojen antennit
01.12.2022Paremmilla transistoreilla vai peräti ilman
30.11.2022Kasvihuonekaasu CO2 akun komponentiksi
29.11.2022Kuitua kvanttiviestinnälle
28.11.2022Älykkäästi reagoivaa materiaalia
25.11.2022Aikalinssi tuottaa ultranopeita pulsseja

Siirry arkistoon »