Vaimennus antaa nopeamman kytkennän

21.04.2017

ASTAR-sahkokentta-avusteinen-magneettinen-muisti-300-t.jpgRAM-muisti on ratkaiseva tekijä useimmissa tietokoneissa, niiden tallentaessa informaatiota, jota tarvitaan prosessien loppuun saattamisessa. Tämä informaatio voidaan kirjoittaa ja hakea RAM-muistista paljon nopeammin kuin muista datan tallennusvälineistä, mikä tarkoittaa, että laskennalliset prosessit voidaan suorittaa nopeammin.

Useimmat RAM-muistit tallentavat bittejä sähköisesti. Kuitenkin informaation tallennusta magneettisesti voisi mahdollistaa nopeamman toiminnan. Lisäksi magneettinen hajasaantimuisti (MRAM) on haihtumaton.

MRAM tallentaa dataa magnetoinnin suuntaan ferromagneettisella kalvolla. Magnetoinnin suunnan ja siten binaarisen tilan vaihto voidaan saavuttaa käyttämällä magneettikenttää, mutta tämä vaatii nykyään paljon tehoa.

A*STAR Data Storage Instituten tutkijat ovat mikromagneettisien simulaatioiden avulla tutkineet sähkökenttäavusteista magnetoinnin kytkentää magneettisissa RAM-muisteissa.

He tunnistivat ihanteellisia materiaaliominaisuuksia, joita tarvitaan minimoimaan vaihtoaikaa. Luotettava magneettinen kytkentä voi tapahtua viidessä nanosekunnissa sähkökentän avustamalla kytkennällä ja ilman mitään muuta ulkoista käyttövoimaa.

Sähkökentällä avustettu kytkentä toimii, koska kohdistettu sähkövirta muuttaa ferromagneettisen materiaalin magneettisia ominaisuuksia, joten se on alttiimpi magnetoinnin muutokselle. Pieni magneettikenttä, joka liittyy virtaan ja tunnetaan Oersted-kenttänä, on sitten riittävä vaihtamaan magnetointia.

Simulaatiot osoittivat, että materiaalin ominaisuus, joka tunnetaan magneettisena vaimennuksena, on tärkeä optimoitaessa kytkentäaikaa. Vaimennus on heikennys magneettikentän voimakkuudessa kun kenttä tunkeutuu syvemmälle materiaaliin.

Tutkijat osoittavat, että kytkentäaika pienenee kun kasvatetaan vaimennusvakiota ja Oersted-kentän vahvuutta. Kun valitaan ferromagneettinen materiaali, jolla on paras vaimennusvakio, sähkökenttäavusteisen magneettisen hajasaantimuistin kytkentäaika voi olla jopa kolme nanosekuntia.

Aiheesta aiemmin:

On muisto vain

23.09.2023Kvanttipotentiaalin vapauttaminen monipuolisilla kvanttitiloilla
21.09.2023Terahertsiaaltoja helpommin
20.09.2023Espoosta voi ostaa kvanttitietokoneen
19.09.2023Kvanttianturien tarkkuutta voi edelleen parantaa
18.09.2023Kaksiulotteisia fettejä piikiekolle
16.09.2023Grafeenia, vihreää energiaa ja materiaaleja
15.09.2023Infrapunavaloa kvanttipisteistä
14.09.2023Kohti täydellisiä optisia resonaattoreita
13.09.2023Pidemmän kantaman vedenalaista viestintää
12.09.2023Pisara-akku tasoittaa tietä biointegroinnille

Siirry arkistoon »