Dipolipohjainen varausloukku haihtumattomia muistipiirejä varten

Nopeiden ja energiatehokkaiden muistiteknologioiden kysynnän kasvaessa perinteisten flash-muistien rajoitukset toimintanopeuden, datan säilyvyyden ja skaalautuvuuden suhteen korostuvat.

Eri kiinalaisten yliopistojen ja teknologiaintituuttien tutkijat ovat esitelleet läpimurron tuottavan 2D-flash-muistirakenteen, jossa käytetään yksikerroksista Janus MoSSe –materiaalia varauksen ansoituksen kerroksena.

Tämä työ tarjoaa arvokasta tietämystä seuraavan sukupolven haihtumattomien muistien kehittämisestä ennennäkemättömillä suorituskykyarvoilla. Janus MoSSe -pohjainen kelluva porttimuisti saavuttaa erittäin nopean varauksen sieppauksen, mikä mahdollistaa nopeat ohjelmointi- ja pyyhkäisytoiminnot.

Suuritiheyksinen datantallennus on osoitettu ~80 V:n muisti-ikkunalla 10 nm:n h-BN-kalvossa ja ennätyksellinen suorituskyky 6 nm:n paksuudella sijoittavat tämän teknologian seuraavan sukupolven ultraohuiden, joustavien ja haihtumattomien muistien joukkoon.

Tekniikka mahdollistaa myös muistin sisäisen laskennan. Monitasoinen tallennusominaisuus ja analogiset synaptiset ominaisuudet mahdollistavat tekoälyverkkojen, konvoluutiohermoverkkojen ja edistyneiden neuromorfisten laskentajärjestelmien toteuttamisen.

Valmistusmenetelmä on yhteensopiva kiekkomittakaavan yksittäisten kiteiden kasvatusmenetelmien ja huoneenlämmössä tapahtuvien plasmasubstituutiotekniikoiden kanssa, mikä varmistaa käytännön skaalautuvuuden teollisiin sovelluksiin.

Tämä kattava tutkimus luo uuden suunnitteluparadigman 2D-flash-muistilaitteille hyödyntämällä Janus MoSSe:n epäsymmetristä dipolaarista luonnetta ja saavuttamalla ennennäkemättömät muistin suorituskykymittarit yksinkertaisessa ja skaalautuvassa arkkitehtuurissa, kertoo tutkijoiden tiedote.

Aiheesta aiemmin:

Pienempi muistirakenne onkin parempi

Supervoitelu mahdollistaa nopeat muistipiirit

Uusia muistiratkaisuja spineillä ja pyörteillä