Vaimennus antaa nopeamman kytkennän

21.04.2017

ASTAR-sahkokentta-avusteinen-magneettinen-muisti-300-t.jpgRAM-muisti on ratkaiseva tekijä useimmissa tietokoneissa, niiden tallentaessa informaatiota, jota tarvitaan prosessien loppuun saattamisessa. Tämä informaatio voidaan kirjoittaa ja hakea RAM-muistista paljon nopeammin kuin muista datan tallennusvälineistä, mikä tarkoittaa, että laskennalliset prosessit voidaan suorittaa nopeammin.

Useimmat RAM-muistit tallentavat bittejä sähköisesti. Kuitenkin informaation tallennusta magneettisesti voisi mahdollistaa nopeamman toiminnan. Lisäksi magneettinen hajasaantimuisti (MRAM) on haihtumaton.

MRAM tallentaa dataa magnetoinnin suuntaan ferromagneettisella kalvolla. Magnetoinnin suunnan ja siten binaarisen tilan vaihto voidaan saavuttaa käyttämällä magneettikenttää, mutta tämä vaatii nykyään paljon tehoa.

A*STAR Data Storage Instituten tutkijat ovat mikromagneettisien simulaatioiden avulla tutkineet sähkökenttäavusteista magnetoinnin kytkentää magneettisissa RAM-muisteissa.

He tunnistivat ihanteellisia materiaaliominaisuuksia, joita tarvitaan minimoimaan vaihtoaikaa. Luotettava magneettinen kytkentä voi tapahtua viidessä nanosekunnissa sähkökentän avustamalla kytkennällä ja ilman mitään muuta ulkoista käyttövoimaa.

Sähkökentällä avustettu kytkentä toimii, koska kohdistettu sähkövirta muuttaa ferromagneettisen materiaalin magneettisia ominaisuuksia, joten se on alttiimpi magnetoinnin muutokselle. Pieni magneettikenttä, joka liittyy virtaan ja tunnetaan Oersted-kenttänä, on sitten riittävä vaihtamaan magnetointia.

Simulaatiot osoittivat, että materiaalin ominaisuus, joka tunnetaan magneettisena vaimennuksena, on tärkeä optimoitaessa kytkentäaikaa. Vaimennus on heikennys magneettikentän voimakkuudessa kun kenttä tunkeutuu syvemmälle materiaaliin.

Tutkijat osoittavat, että kytkentäaika pienenee kun kasvatetaan vaimennusvakiota ja Oersted-kentän vahvuutta. Kun valitaan ferromagneettinen materiaali, jolla on paras vaimennusvakio, sähkökenttäavusteisen magneettisen hajasaantimuistin kytkentäaika voi olla jopa kolme nanosekuntia.

Aiheesta aiemmin:

On muisto vain

26.04.2024Uudenlaisia kondensaattoreita ja keloja
25.04.2024Kvanttielektroniikka grafeenien avulla
24.04.2024Akku ja superkonkka yhteen soppii
23.04.2024Kaareva datalinkki esteitä ohittamaan
22.04.2024Kvanttimateriaali lupaa uutta puhtia aurinkokennoille
21.04.2024Läpimurto lupaa turvallista kvanttilaskentaa kotona
20.04.2024Yksi atomikerros kultaa ja molekyylikorjaaja
19.04.2024Uusia ja yllättäviä topologiota
18.04.2024Kvanttivalo syntyy renkaassa ja lähtee kiertueelle
17.04.2024Fononit ja magnonit kaveraavat

Siirry arkistoon »