Uusi murros muistiteknologiassa

Singaporen kansallisen yliopiston (NUS) tutkijoiden johtama kansainvälinen tutkijaryhmä on edistänyt uudenlaisen orgaanisen ohutkalvon kehitystä, joka tukee muistikäytössä miljoona kertaa enemmän luku-kirjoitusjaksoja ja kuluttaa tuhat kertaa vähemmän virtaa kuin kaupalliset flash-muistit.

Uusi orgaaninen kalvo voi tallentaa ja käsitellä tietoja biljoonaa sykliä ja sillä on potentiaalia olla alle 25 neliönanometrin kokoinen.

"Keksinnön uudet ominaisuudet avaavat uuden kentän joustavien ja kevyiden laitteiden suunnittelussa ja kehittämisessä. Työmme siirtää paradigmaa siitä, miten teollisuus on perinteisesti katsonut orgaanista elektroniikkaa ja laajentanut tällaisten teknologioiden soveltamista uusille alueille", toteaa hankeen koordinaattori professori T Venky Venkatesan.

Tietotekniikka on vuosien ajan etsinyt muistitekniikoita, joilla on parempi energiatehokkuus ja kestävyys sekä alhaisemmat kustannukset kuin kaupallisilla flash-muisteilla.

Teollisuus on perinteisesti pidättäytynyt käyttämästä orgaanisia järjestelmiä muisteissa johtuen niiden suorituskyvyn tekniikan rajoituksista.

Nyt tutkijoiden mukaan on kehitetty orgaaninen rakenne, joka on teollisesti kilpailukykyinen, mutta samalla on kehittynyt selkeä kuvan sen molekyylimekanismista.

Kehitetty liuosprosessoitava resistiivisen muistiratkaisu perustuu siirtymämetallikompleksin spin-pinnoitettuun aktiiviseen kerrokseen. Se osoittaa suurta toistettavuutta, nopeaa kytkentää sekä erinomaista kestävyyttä, stabiilisuutta ja skaalautuvuutta.

Tutkimusryhmä aikoo kumppaniksi kulutuselektroniikkayrityksen kanssa kaupallistaakseen uutta teknologiaa. Lisäksi tutkijat tarkastelevat myös monitilaisten muistien kehittämistä neuromorfisiksi muistiksi eli memristoria tekoälyn (AI) sovelluksiin, joka on yksi nopeimmin kasvavista teknologia-aloista nykyään.

Aiheesta aiemmin:

Melkein muovinen mikroprosessori