Energiatehokkaita MeRAM-muisteja

27.12.2012

ucla-meram_bit-prv-300.jpgKalifornian yliopiston (UCLA) tutkijat ovat tehneet merkittäviä parannuksia haihtumattomasti toimivaan magneettisresistiiviseen MRAM-muistiin. Alun perin bittimuutos saatiin aikaan virran tuottaman magneettikentän ohjaamana.

Uudemmat MRAM-muistit perustuvat STT (spin-transfer torque) -tekniikkaan, jossa hyödynnetään elektronien spinejä ja varauksia magneettisen tunneliliitoksen tilan muuttamiseksi rakenteen läpi kulkevan tunnelointivirran avulla.

UCLA:n tutkijat ovat nyt onnistuneet ohjaamaan tilamuutosta jännitteen avulla mikä edelleen vähentää uudenlaisen MeRAM-muistin energiankäyttöä ja mahdollistaa jopa viisi kerta tiheämmän muistirakenteen.

Jänniteohjattu MeRAM-muistipiiri on 10 - 1000 kertaa energiatehokkaampi, joten se tuottaa vähemmän lämpöä. Valmistuksessa voidaan käyttää samanlaisia materiaaleja ja prosesseja kuin nykyisissä STT-MRAM:ssa ja niissä säilyy myös yhteensopivuus nykyisiin logiikkapiirien teknologiaan.

Edeltäjiensä tapaan MeRAM perustuu eristettyihin magneettisen materiaalin kerroksiin (MJT). Niistä toisen suuntatila on kiinteä ja toisen ohjattavissa, jolloin nanokokoisen kerrospaketin resistanssi muuttuu.

Nyt kehitetyt rakenteet on tehty sähkökentille herkiksi. Sähkökenttä tuottaa jännitteen kahden magneettisen kerroksen välille. Tämä jännite kerryttää tai kuluttaa elektroneja näiden kerroksien pinnalta, kirjoittaen informaatiobittejä muistiin.

Äskettäin muun muassa Everspin Technologies on esittelyt alan suurinta eli 64 megabittistä ST-MRAM-piiriä, joka on liitettävissä DDR3-muistiratkaisuihin.

06.08.2020Elektroniikkaa ja bakteereja
05.08.2020Ensimmäinen neurotransistori
04.08.2020Ferrosähköistä ja topologista muistia
03.08.2020Absorboivaa EMI-suojausta
31.07.2020Eristeidenkin on ohennuttava
24.07.2020Ennätysmäisiä metalinssejä
19.07.2020Grafeeni ja 2D-materiaalit voisivat ohittaa Mooren lain
06.07.2020Elektronit ja fotonit samalla sirulla
26.06.2020Tieteen purskeita kaukaa ja läheltä
26.06.2020Magnon-kytkin teollisesti hyödyllisillä ominaisuuksilla

Siirry arkistoon »