Energiatehokkaita MeRAM-muisteja

27.12.2012

ucla-meram_bit-prv-300.jpgKalifornian yliopiston (UCLA) tutkijat ovat tehneet merkittäviä parannuksia haihtumattomasti toimivaan magneettisresistiiviseen MRAM-muistiin. Alun perin bittimuutos saatiin aikaan virran tuottaman magneettikentän ohjaamana.

Uudemmat MRAM-muistit perustuvat STT (spin-transfer torque) -tekniikkaan, jossa hyödynnetään elektronien spinejä ja varauksia magneettisen tunneliliitoksen tilan muuttamiseksi rakenteen läpi kulkevan tunnelointivirran avulla.

UCLA:n tutkijat ovat nyt onnistuneet ohjaamaan tilamuutosta jännitteen avulla mikä edelleen vähentää uudenlaisen MeRAM-muistin energiankäyttöä ja mahdollistaa jopa viisi kerta tiheämmän muistirakenteen.

Jänniteohjattu MeRAM-muistipiiri on 10 - 1000 kertaa energiatehokkaampi, joten se tuottaa vähemmän lämpöä. Valmistuksessa voidaan käyttää samanlaisia materiaaleja ja prosesseja kuin nykyisissä STT-MRAM:ssa ja niissä säilyy myös yhteensopivuus nykyisiin logiikkapiirien teknologiaan.

Edeltäjiensä tapaan MeRAM perustuu eristettyihin magneettisen materiaalin kerroksiin (MJT). Niistä toisen suuntatila on kiinteä ja toisen ohjattavissa, jolloin nanokokoisen kerrospaketin resistanssi muuttuu.

Nyt kehitetyt rakenteet on tehty sähkökentille herkiksi. Sähkökenttä tuottaa jännitteen kahden magneettisen kerroksen välille. Tämä jännite kerryttää tai kuluttaa elektroneja näiden kerroksien pinnalta, kirjoittaen informaatiobittejä muistiin.

Äskettäin muun muassa Everspin Technologies on esittelyt alan suurinta eli 64 megabittistä ST-MRAM-piiriä, joka on liitettävissä DDR3-muistiratkaisuihin.

13.09.2019Tehokkaampaa sähköpolttoaineiden tuotantoa
12.09.2019Ensimmäinen monimutkainen kvanttiteleportaatio
11.09.2019Energian talteenottoa piipiiriltä
10.09.2019Uudenlainen pinnoite litium-metalli akuille
09.09.2019Uusi eristetekniikka pienemmille siruille
06.09.2019Hiilinanoputkia ja grafeenia
05.09.2019Nikkelioksidistako suprajohde?
04.09.2019Metamateriaaleja ja magnoniikkaa
03.09.2019Gallium-oksidi tehotransistoreita ennätysarvoilla
02.09.2019Muutos magneetissa itsessään

Siirry arkistoon »