Uusia rakenteita MRAM-muisteille

11.03.2016

Eindhoven-uusi-MRAM-muistitekniikka-275-t.jpgEindhoven University of Technologyn (TU/e) tutkijat ovat löytäneet näppärän tavan keventää MRAM-muisteihin liittyvää tehonkulutusta.

MRAM (Magnetic Random Access Memory) tallentaa tiedot käyttämällä elektronien spiniä eli magnetismia. Kun käytetään magnetismia sähkövarauksen sijaan, muisti on haihtumaton.

MRAM-muistissa bittien tallennus tapahtuu vaihtamalla elektronien spinien suuntaa. Normaalisti tähän käytetään sähkövirtaa, joka sisältää halutun spinsuunnan mukaisia elektroneja.

Kuitenkin bittien kokoa edelleen pienennettäessä virtatiheydet kasvat kovin suureksi ja uudeksi keinoksi on etsitty spin-Hall ilmiön käyttöä. Siinäkin on omat vaikeutensa ja nyt ryhmä TU/e fyysikoita on kehittänyt menetelmän kääntää magneettista bittiä nopeammin ja energiatehokkaammin.

Virtapulssi ohjataan bittipalan alle, joka taivuttaa elektroneja ylöspäin, bittipaikan kautta kulkemaan. Uusi muistirakenne on todella nopea, mutta siinä tarvitaan erityistä anti-ferromagneettista materiaalia bittimateriaalipalan päällä.

Twente-materiaaleja-datan-tallennus-275.jpgUniversity of Twenten MESA+ NanoLabin nanoteknologistit ovat luoneet materiaaleja, joissa he voivat hallita magnetismia tarkasti haluttuun suuntaan. Luodut materiaalit tuovat esiin erilaisia mielenkiintoisia mahdollisuuksia, kuten uusi tapa luoda tietokoneen muisti sekä käyttää spintroniikan sovelluksiin.

Työssään tutkijat pinosivat erilaisia ohuita kerroksia perovskiittisia materiaaleja. Sijoittamalla kerrosten väliin ohuen vain 0,4 nanometrisen välikerroksen, on mahdollista vaikuttaa magnetismin suuntaan yksittäisessä perovskiittikerroksessa.

Vaihtelemalla paikkaa, jossa välikerrosta sovelletaan, on mahdollista valita magnetismin paikallinen suunta missä tahansa kohtaa materiaalia. Tämä on olennainen ominaisuus uusille tietokoneen muisteille.

Aiheesta aiemmin:

Uusi muistikonsepti

06.11.2024Sähköautojen pikalataus kotitalouspistorasioista
05.11.2024Langaton lataus tekstiileihin ja sisäilmasta sähköä ja happea
05.11.2024Sisäistä laskentaa optisessa muistissa
04.11.2024Ennätysmäisiä anturitekniikoita
02.11.2024Kohti ympäristökestävämpiä akkuratkaisuja
01.11.2024XOR valolla ja yksittäisen transistorin neuronissa
31.10.2024Nesteen kaltaiset elektronit avaavat uusia teknisiä mahdollisuuksia
30.10.2024Uusi lämmönsiirtomateriaali voi viilentää energiasyöppöjä datakeskuksia
29.10.2024Kirigamista mallia langattomien antenneille
28.10.2024Orbitroniikka: uusi energiatehokas tekniikka

Siirry arkistoon »