Tekoälylle uusi eurooppalainen supertransistori

Monipuoliseen kvanttitekniikkaan erikoistunut Terra Quantum ilmoittaa maailman ensimmäisen tehdaslaatuisen negatiivisen kapasitanssin kenttävaikutustransistorin (NC-FET) onnistuneesta valmistuksesta ja validoinnista.

NC-FET-teknologiaan rakennettu siru, kuten grafiikkaohjain, ei ainoastaan riko piin fyysisiä rajoja, vaan pakottaa tekoälyinfrastruktuurin täysin uuteen ajatteluun.

”NC-FET on käänteentekevä hetki paitsi Terra Quantumille, myös koko laskennan tulevaisuudelle”, sanoi Terra Quantumin perustaja ja toimitusjohtaja Markus Pflitsch. ”Aikakaudella, jolloin suorituskyvyn skaalaus oli pysähtynyt, emme ole vain sytyttäneet tätä käyrää uudelleen, vaan kiihdyttäneet sitä. Tämä transistori avaa oven itsenäiselle, energiatehokkaalle ja nopealle laskennalle ja asettaa meidät johtamaan seuraavaa puolijohdeinnovaatioiden aaltoa. Kuka omistaa tämän teknologian, omistaa tekoälyn,” painottaa Pflitsch.

Terra Quantumin NC-FET-prototyyppi tarjoaa sisäisen jännitteenvahvistuksen ja alle 30 millivoltin kytkentäkulmakertoimen dekadille, murtaen "60 mV:n muurin", piifysiikan pitkäaikaisen esteen.

Se toimii jopa 40 kertaa nopeammin kuin nykyiset sirut ja kuluttaa lähes 20 kertaa vähemmän energiaa toimintoa kohden eli pienimmillään 0,5 femtojoulea.

Näitä edistysaskeleita eivät mahdollista eksoottiset materiaalit tai teoreettiset konstruktiot, vaan ferroelektristen materiaalien integrointi transistorin porttiin. Tämä CMOS-yhteensopiva lähestymistapa tarjoaa käytännöllisiä ja skaalautuvia parannuksia standardin mukaisissa piiprosesseissa.

Toisin kuin useimmat akateemiset NC-FETit, Terra Quantumin versio on rakennettu valimolaatuiselle piille käyttäen vakiintuneita pinnoitustekniikoita ja tunnettuja ferroelektrisiä materiaaleja. Huippuluokan FinFETeihin verrattuna laite saavuttaa viidestä kymmeneen kertaa suuremman loogisen läpimenon.

Terra Quantumin NC-FET avaa miljardien dollarien mahdollisuudet puolijohdeteollisuudessa ja tukee samalla suoraan Euroopan strategisia suvereniteettitavoitteita CMOS-yhteensopivan ja vientiin sopivan teknologian avulla, joka on kehitetty EU:n maaperällä.

Negatiivisen kapasitanssin ferroelektrisellä kerroksella varustettu FET on herättänyt tutkijoiden parissa valtavan huomion viime vuosina.

Ongelmana on ollut se, ettei täysin ymmärretty, miten NC:n perustavanlaatuista alkuperää, voidaan hyödyntää NC-FETin toteuttamisessa.

Keväällä 2022 julkaistussa The ferroelectric field-effect transistor with negative capacitance –tutkimuksessa tutkijat esittivät ratkaisun stabiilin palautuvan staattisen negatiivisen hilakapasitanssin toteuttamiseksi.

Aiheesta aiemmin:

Negatiivinen hilakapasitanssi transistoreihin

Päihittää Boltzmanin tyrannian

Staattinen negatiivinen kondensaattori